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厂商型号

FQD7N10TF 

产品描述

MOSFET

内部编号

3-FQD7N10TF

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FQD7N10TF产品详细规格

Status Obsolete
RoHS No
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 100 V
源极击穿电压 +/- 25 V
连续漏极电流 5.8 A
抗漏源极RDS ( ON) 0.35 Ohms
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 DPAK
封装 Reel
下降时间 19 ns
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 2.5 W
上升时间 24 ns
典型关闭延迟时间 13 ns
寿命 Obsolete

FQD7N10TF系列产品

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